IPD90N03S4L-02. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD90N03S4L-02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD90N03S4L-02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD90N03S4L-02 даташит

 ..1. Size:160K  infineon
ipd90n03s4l-02 ipd90n03s4l-02 ds 3 0.pdfpdf_icon

IPD90N03S4L-02

IPD90N03S4L-02 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 30 V DS R 2.2 m DS(on),max I 90 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD90N03S4L-02

 1.1. Size:157K  infineon
ipd90n03s4l-03 ipd90n03s4l-03 ds.pdfpdf_icon

IPD90N03S4L-02

IPD90N03S4L-03 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 30 V DS R 3.3 m DS(on),max I 90 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD90N03S4L-03 PG-TO252-3-11 4N03L03

 7.1. Size:163K  infineon
ipd90n06s4-04 ipd90n06s4-04 ds 12.pdfpdf_icon

IPD90N03S4L-02

IPD90N06S4-04 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R 3.8 m DS(on),max I 90 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-11 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD90N06S4-04 PG-TO252-3-11 4N0604 Maximum ratings, a

 7.2. Size:163K  infineon
ipd90n06s4l-03 ipd90n06s4l-03 ds 10.pdfpdf_icon

IPD90N03S4L-02

IPD90N06S4L-03 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R 3.5 m DS(on),max I 90 A D Features PG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra low RDSon Type Package Marking IPD90N06S4L-03 P

Другие IGBT... IPD50N10S3L-16, IPD50P03P4L-11, IPD70N03S4L-04, IPD70N04S3-07, IPD70N10S3-12, IPD70N10S3L-12, IPD80N04S3-06, IPD80P03P4L-07, BS170, IPD90N03S4L-03, IPD90N04S3-04, IPD90N04S3-H4, IPD90N04S4-04, IPD90N04S4L-04, IPD90N06S4-04, IPD90N06S4-05, IPD90N06S4-07