Справочник MOSFET. IPD90N04S4L-04

 

IPD90N04S4L-04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD90N04S4L-04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD90N04S4L-04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD90N04S4L-04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  infineon
 ipd90n04s4l-04 ipd90n04s4l-04 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD90N04S4L-04

IPD90N04S4L-04OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 3.8mDS(on),maxI 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N04S4L-04 PG-TO252-3-313 4N04L04Maximum ratin

 4.1. Size:152K  infineon
 ipd90n04s4-03 ipd90n04s4-03 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD90N04S4L-04

IPD90N04S4-03OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 3.2mDS(on),maxI 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N04S4-03 PG-TO252-3-313 4N0403Maximum ratings,

 4.2. Size:154K  infineon
 ipd90n04s4-04 ipd90n04s4-04 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD90N04S4L-04

IPD90N04S4-04OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 4.1mDS(on),maxI 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N04S4-04 PG-TO252-3-313 4N0404Maximum ratings,

 4.3. Size:152K  infineon
 ipd90n04s4-02 ipd90n04s4-02 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD90N04S4L-04

IPD90N04S4-02OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 2.4mDS(on),maxI 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90N04S4-02 PG-TO252-3-313 4N0402Maximum ratings,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPD70N10S3L-12 , IPD80N04S3-06 , IPD80P03P4L-07 , IPD90N03S4L-02 , IPD90N03S4L-03 , IPD90N04S3-04 , IPD90N04S3-H4 , IPD90N04S4-04 , STP80NF70 , IPD90N06S4-04 , IPD90N06S4-05 , IPD90N06S4-07 , IPD90N06S4L-03 , IPD90N06S4L-05 , IPD90N06S4L-06 , IPD90P03P4-04 , IPD90P03P4L-04 .

History: HGN024N06SL | TSJ10N10AT | CTLDM8120-M621H | AO4821 | NCE0224AF | BUK9535-100A

 

 
Back to Top

 


 
.