IPD90P03P4-04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD90P03P4-04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 137 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD90P03P4-04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD90P03P4-04 даташит

 ..1. Size:165K  infineon
 ipd90p03p4-04 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90P03P4-04

IPD90P03P4-04 OptiMOS -P2 Power-Transistor Product Summary V -30 V DS R 4.5 m DS(on) I -90 A D Features P-channel - Normal Level - Enhancement mode AEC qualified PG-TO252-3-11 MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD90P03P4-04 PG-TO252-3-11 4P0304 Maxim

 4.1. Size:164K  infineon
 ipd90p03p4l-04 ipd90p03p4l-04 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90P03P4-04

IPD90P03P4L-04 OptiMOS -P2 Power-Transistor Product Summary V -30 V DS R 4.1 m DS(on) I -90 A D Features P-channel - Logic Level - Enhancement mode AEC qualified PG-TO252-3-11 MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Intended for reverse battery protection Type Package Mark

 7.1. Size:129K  infineon
 ipd90p04p4-05 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90P03P4-04

IPD90P04P4-05 OptiMOS -P2 Power-Transistor Product Summary V -40 V DS R 4.7 m DS(on) I -90 A D Features P-channel - Normal Level - Enhancement mode AEC qualified PG-TO252-3-313 MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD90P04P4-05 PG-TO252-3-313 4P0405 Maxi

 7.2. Size:415K  infineon
 ipd90p04p4-05.pdf pdf_icon

IPD90P03P4-04

IPD90P04P4-05 OptiMOS -P2 Power-Transistor Product Summary VDS -40 V RDS(on) 4.7 mW ID -90 A Features P-channel - Normal Level - Enhancement mode AEC qualified PG-TO252-3-313 MSL1 up to 260 C peak reflow Tab 175 C operating temperature Green package (RoHS compliant) 1 3 100% Avalanche tested Source pin 3 Gate pin 1 Type Package Marking Drain pin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPD90N04S4-04, IPD90N04S4L-04, IPD90N06S4-04, IPD90N06S4-05, IPD90N06S4-07, IPD90N06S4L-03, IPD90N06S4L-05, IPD90N06S4L-06, IRF520, IPD90P03P4L-04, IPD031N03LG, IPD031N06L3G, IPD034N06N3G, IPD035N06L3G, IPD036N04LG, IPD038N04NG, IPD038N06N3G