Справочник MOSFET. IPD90P03P4-04

 

IPD90P03P4-04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD90P03P4-04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 137 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2340 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD90P03P4-04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  infineon
 ipd90p03p4-04 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90P03P4-04

IPD90P03P4-04OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryV -30 VDSR 4.5mDS(on)I -90 ADFeatures P-channel - Normal Level - Enhancement mode AEC qualifiedPG-TO252-3-11 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90P03P4-04 PG-TO252-3-11 4P0304Maxim

 4.1. Size:164K  infineon
 ipd90p03p4l-04 ipd90p03p4l-04 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90P03P4-04

IPD90P03P4L-04OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryV -30 VDSR 4.1mDS(on)I -90 ADFeatures P-channel - Logic Level - Enhancement mode AEC qualifiedPG-TO252-3-11 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Intended for reverse battery protection Type Package Mark

 7.1. Size:129K  infineon
 ipd90p04p4-05 ds 10.pdf pdf_icon

IPD90P03P4-04

IPD90P04P4-05OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryV -40 VDSR 4.7mDS(on)I -90 ADFeatures P-channel - Normal Level - Enhancement mode AEC qualifiedPG-TO252-3-313 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD90P04P4-05 PG-TO252-3-313 4P0405Maxi

 7.2. Size:415K  infineon
 ipd90p04p4-05.pdf pdf_icon

IPD90P03P4-04

IPD90P04P4-05OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryVDS -40 VRDS(on) 4.7mWID -90 AFeatures P-channel - Normal Level - Enhancement mode AEC qualifiedPG-TO252-3-313 MSL1 up to 260C peak reflowTab 175C operating temperature Green package (RoHS compliant)13 100% Avalanche testedSourcepin 3Gatepin 1Type Package Marking Drainpin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RD16HHF1 | AP2330GN | STP5NB40 | APT15F50K | FIR11N90ANG | AP05N50EH | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.