IPD050N03LG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD050N03LG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 920 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD050N03LG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD050N03LG даташит

 ..1. Size:1000K  infineon
 ipd050n03lg ipf050n03lg ips050n03lg ipu050n03lg ipd050n03l ips050n03l.pdf pdf_icon

IPD050N03LG

Type IPD050N03L G IPF050N03L G IPS050N03L G IPU050N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPS RDS(on),max 5 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 50 A Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on

 ..2. Size:1220K  infineon
 ipd050n03lg.pdf pdf_icon

IPD050N03LG

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@ %>E Features D R 3DE DH;E5 ;@9 ') - . 8AC -'*- m D n) m x R ) BE;?;K76 E75 @A>A9J 8AC 5A@G7CE7CD D 1) R + F3>;8;76 355AC6;@9 EA $ 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@D R ( 5 3@@7> >A9;5 >7G7> R I57>>7@E 93E7 5 3C97 I BCA6F5E ) ' D n) R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n) R G3>3@5 7 C3E76 R *4 8C77 B>3E;@9 , A"- 5A?B>;3@E Type

 0.1. Size:1221K  infineon
 ipd050n03lg2.pdf pdf_icon

IPD050N03LG

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@ %>E Features D R 3DE DH;E5 ;@9 ') - . 8AC -'*- m D n) m x R ) BE;?;K76 E75 @A>A9J 8AC 5A@G7CE7CD D 1) R + F3>;8;76 355AC6;@9 EA $ 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@D R ( 5 3@@7> >A9;5 >7G7> R I57>>7@E 93E7 5 3C97 I BCA6F5E ) ' D n) R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n) R G3>3@5 7 C3E76 R *4 8C77 B>3E;@9 , A"- 5A?B>;3@E Type

 4.1. Size:630K  infineon
 ipd050n03l ipf050n03l ips050n03l ipu050n03l.pdf pdf_icon

IPD050N03LG

Type IPD050N03L G IPF050N03L G IPS050N03L G IPU050N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 5 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 50 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPD034N06N3G, IPD035N06L3G, IPD036N04LG, IPD038N04NG, IPD038N06N3G, IPD040N03LG, IPD042P03L3G, IPD048N06L3G, 7N60, IPD053N06N3G, IPD053N08N3G, IPD060N03LG, IPD068N10N3G, IPD068P03L3G, IPD075N03LG, IPD079N06L3G, IPD082N10N3G