Справочник MOSFET. IPD050N03LG

 

IPD050N03LG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPD050N03LG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 920 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IPD050N03LG

 

 

IPD050N03LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1000K  infineon
 ipd050n03lg ipf050n03lg ips050n03lg ipu050n03lg ipd050n03l ips050n03l.pdf

IPD050N03LG IPD050N03LG

Type IPD050N03L G IPF050N03L GIPS050N03L G IPU050N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 5 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 50 A Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on

 ..2. Size:1220K  infineon
 ipd050n03lg.pdf

IPD050N03LG IPD050N03LG

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD R 3DE DH;E5:;@9 ') - . 8AC -'*- m D n) m xR ) BE;?;K76 E75:@A>A9J 8AC 5A@G7CE7CDD1)R + F3>;8;76 355AC6;@9 EA $ 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@DR ( 5:3@@7> >A9;5 >7G7>R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I BCA6F5E ) ' D n)R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n)R G3>3@5:7 C3E76R *4 8C77 B>3E;@9 , A"- 5A?B>;3@EType

 0.1. Size:1221K  infineon
 ipd050n03lg2.pdf

IPD050N03LG IPD050N03LG

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD R 3DE DH;E5:;@9 ') - . 8AC -'*- m D n) m xR ) BE;?;K76 E75:@A>A9J 8AC 5A@G7CE7CDD1)R + F3>;8;76 355AC6;@9 EA $ 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@DR ( 5:3@@7> >A9;5 >7G7>R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I BCA6F5E ) ' D n)R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n)R G3>3@5:7 C3E76R *4 8C77 B>3E;@9 , A"- 5A?B>;3@EType

 4.1. Size:630K  infineon
 ipd050n03l ipf050n03l ips050n03l ipu050n03l.pdf

IPD050N03LG IPD050N03LG

Type IPD050N03L G IPF050N03L GIPS050N03L G IPU050N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low

 4.2. Size:241K  inchange semiconductor
 ipd050n03l.pdf

IPD050N03LG IPD050N03LG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD050N03L, IIPD050N03LFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)5mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 30 VDSSV Ga

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top