IPD090N03LG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPD090N03LG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IPD090N03LG Datasheet (PDF)
ipd090n03lg ipf090n03lg ips090n03lg ipu090n03lg.pdf

Type IPD090N03L G IPF090N03L GIPS090N03L G IPU090N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 40 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low
ipd090n03lg .pdf

pe $ " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesD Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*-m D n) m xQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC 4 D1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CQ ( 492??6= =@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8Type #* ( & ! Package G O 11M
ipd090n03lg6.pdf

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD R 3DE DH;E5:;@9 ') - . 8AC -'*- m D n) m xR ) BE;?;K76 E75:@A>A9J 8AC 5A@G7CE7CD 4 D1)R + F3>;8;76 355AC6;@9 EA $ 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@DR ( 5:3@@7> >A9;5 >7G7>R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I BCA6F5E ) ' D n)R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n)R G3>3@5:7 C3E76R *4 8C77 B>3E;@9 , A"- 5A?B>;3@E
ipd090n03lge8177.pdf

TypeIPD090N03L G E8177 OptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 9 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 40 A Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Aval
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: STC4606 | AP2306CGN-HF | SSG4490N | FDS8812NZ | IPD30N10S3L-34 | QM3002J | QM3006U1
History: STC4606 | AP2306CGN-HF | SSG4490N | FDS8812NZ | IPD30N10S3L-34 | QM3002J | QM3006U1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451