IPD090N03LG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD090N03LG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD090N03LG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD090N03LG даташит

 ..1. Size:538K  1
ipd090n03lg ipf090n03lg ips090n03lg ipu090n03lg.pdfpdf_icon

IPD090N03LG

Type IPD090N03L G IPF090N03L G IPS090N03L G IPU090N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 9 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 40 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low

 ..2. Size:668K  infineon
ipd090n03lg .pdfpdf_icon

IPD090N03LG

pe $ " $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features D Q 2CD CG D49 ?8 ') - . 7@B -'*- m D n) m x Q ) AD > J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC 4 D 1) Q + E2= 7 65 244@B5 ?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA= 42D @?C Q ( 492??6= =@8 4 =6F6= Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n) Q /6BI =@G @? B6C CD2?46 D n) Q F2=2?496 B2D65 Q *3 7B66 A=2D ?8 Type #* ( & ! Package G O 11 M

 0.1. Size:1332K  infineon
ipd090n03lg6.pdfpdf_icon

IPD090N03LG

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@ %>E Features D R 3DE DH;E5 ;@9 ') - . 8AC -'*- m D n) m x R ) BE;?;K76 E75 @A>A9J 8AC 5A@G7CE7CD 4 D 1) R + F3>;8;76 355AC6;@9 EA $ 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@D R ( 5 3@@7> >A9;5 >7G7> R I57>>7@E 93E7 5 3C97 I BCA6F5E ) ' D n) R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n) R G3>3@5 7 C3E76 R *4 8C77 B>3E;@9 , A"- 5A?B>;3@E

 0.2. Size:750K  infineon
ipd090n03lge8177.pdfpdf_icon

IPD090N03LG

Type IPD090N03L G E8177 OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPS RDS(on),max 9 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 40 A Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Aval

Другие IGBT... IPD060N03LG, IPD068N10N3G, IPD068P03L3G, IPD075N03LG, IPD079N06L3G, IPD082N10N3G, IPD088N04LG, IPD088N06N3G, MMIS60R580P, IPD096N08N3G, IPD105N03LG, IPD105N04LG, IPD110N12N3G, IPD122N10N3G, IPD127N06LG, IPD12CN10NG, IPD135N03LG