IPD122N10N3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD122N10N3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0122 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD122N10N3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD122N10N3G даташит

 ..1. Size:503K  infineon
 ipd122n10n3g.pdf pdf_icon

IPD122N10N3G

IPD122N10N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel, normal level RDS(on),max 12.2 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 59 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-fre

 3.1. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd122n10n3.pdf pdf_icon

IPD122N10N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD122N10N3,IIPD122N10N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 12.2m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High frequency switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 1

 9.1. Size:858K  infineon
 ipb12cn10ng ipd12cn10ng ipi12cn10ng ipp12cn10ng ipb12cn10ng ipi12cn10ng.pdf pdf_icon

IPD122N10N3G

IPB12CN10N G IPD12CN10N G IPI12CN10N G IPP12CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel, normal level RDS(on),max (TO252) 12.4 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 67 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)

 9.2. Size:623K  infineon
 ipb12cn10n-g ipd12cn10n-g ipi12cn10n-g ipp12cn10n-g.pdf pdf_icon

IPD122N10N3G

IPB12CN10N G IPD12CN10N G IPI12CN10N G IPP12CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R (TO252) 12.4 m DS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 67 A D Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPD082N10N3G, IPD088N04LG, IPD088N06N3G, IPD090N03LG, IPD096N08N3G, IPD105N03LG, IPD105N04LG, IPD110N12N3G, AO4468, IPD127N06LG, IPD12CN10NG, IPD135N03LG, IPD135N08N3G, IPD144N06NG, IPD160N04LG, IPD16CN10NG, IPD170N04NG