Справочник MOSFET. IPD12CN10NG

 

IPD12CN10NG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD12CN10NG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 67 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 489 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0124 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD12CN10NG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD12CN10NG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:858K  infineon
 ipb12cn10ng ipd12cn10ng ipi12cn10ng ipp12cn10ng ipb12cn10ng ipi12cn10ng.pdf pdf_icon

IPD12CN10NG

IPB12CN10N G IPD12CN10N GIPI12CN10N G IPP12CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max (TO252) 12.4 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 67 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)

 4.1. Size:623K  infineon
 ipb12cn10n-g ipd12cn10n-g ipi12cn10n-g ipp12cn10n-g.pdf pdf_icon

IPD12CN10NG

IPB12CN10N G IPD12CN10N GIPI12CN10N G IPP12CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR (TO252) 12.4mDS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 67 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC

 7.1. Size:549K  infineon
 ipb12cne8n-g ipd12cne8n-g ipi12cne8n-g ipp12cne8n-g.pdf pdf_icon

IPD12CN10NG

IPB12CNE8N G IPD12CNE8N GIPI12CNE8N G IPP12CNE8N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 85 VDS N-channel, normal levelR (TO252) 12.4mDS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 67 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1

 9.1. Size:1000K  infineon
 ipd127n06lg.pdf pdf_icon

IPD12CN10NG

% # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?> 1 7mWD n) m xP ( 381>>581>35=5>C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPD088N06N3G , IPD090N03LG , IPD096N08N3G , IPD105N03LG , IPD105N04LG , IPD110N12N3G , IPD122N10N3G , IPD127N06LG , IRFZ44N , IPD135N03LG , IPD135N08N3G , IPD144N06NG , IPD160N04LG , IPD16CN10NG , IPD170N04NG , IPD180N10N3G , IPD200N15N3G .

History: CS740S | AP3N4R0H | GSM3302W | KI1903DL | BLM8205B | AO4480 | AM4998N

 

 
Back to Top

 


 
.