IPD144N06NG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD144N06NG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0144 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD144N06NG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD144N06NG даташит

 4.1. Size:992K  infineon
 ipd144n06n g2.pdf pdf_icon

IPD144N06NG

$ " " $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features D O >@ 50AB AE8B278=6 2>=D4@B4@A 0=3 AG=2 @42B85820B8>= 14 4 mW D n) m x O ' 270==4; 4=70=24@?4@0B8=6 B4"+ 2> 0B R C=;4AA >B74@E8A4 A?4285843 j Parameter Symb I C ndit

 9.1. Size:147K  infineon
 ipd14n06s2-80.pdf pdf_icon

IPD144N06NG

IPD14N06S2-80 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel - Enhancement mode R (SMD version) 80 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 17 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD14N06S2

Другие IGBT... IPD105N03LG, IPD105N04LG, IPD110N12N3G, IPD122N10N3G, IPD127N06LG, IPD12CN10NG, IPD135N03LG, IPD135N08N3G, IRF840, IPD160N04LG, IPD16CN10NG, IPD170N04NG, IPD180N10N3G, IPD200N15N3G, IPD220N06L3G, IPD230N06LG, IPD230N06NG