Справочник MOSFET. IPD144N06NG

 

IPD144N06NG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD144N06NG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0144 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD144N06NG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD144N06NG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:992K  infineon
 ipd144n06n g2.pdf pdf_icon

IPD144N06NG

$ " " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesD O >@ 50AB AE8B278=6 2>=D4@B4@A 0=3 AG=2 @42B85820B8>= 14 4 mWD n) m xO ' 270==4; 4=70=24@?4@0B8=6 B4"+ 2> 0B R C=;4AA >B74@E8A4 A?4285843jParameter SymbI Cndit

 9.1. Size:147K  infineon
 ipd14n06s2-80.pdf pdf_icon

IPD144N06NG

IPD14N06S2-80OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 80mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 17 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD14N06S2

Другие MOSFET... IPD105N03LG , IPD105N04LG , IPD110N12N3G , IPD122N10N3G , IPD127N06LG , IPD12CN10NG , IPD135N03LG , IPD135N08N3G , IRF840 , IPD160N04LG , IPD16CN10NG , IPD170N04NG , IPD180N10N3G , IPD200N15N3G , IPD220N06L3G , IPD230N06LG , IPD230N06NG .

History: HGW195N15S | 2SJ229 | BLM06N10-B | JCS4N70F | BL3N90-D | HFD8N60U | STF6N95K5

 

 
Back to Top

 


 
.