IPD180N10N3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD180N10N3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 237 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD180N10N3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD180N10N3G даташит

 ..1. Size:506K  infineon
 ipd180n10n3g.pdf pdf_icon

IPD180N10N3G

IPD180N10N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel, normal level RDS(on),max TO-263 18 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 43 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for hig

 3.1. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd180n10n3.pdf pdf_icon

IPD180N10N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD180N10N3,IIPD180N10N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 18m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High frequency switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 100

Другие IGBT... IPD127N06LG, IPD12CN10NG, IPD135N03LG, IPD135N08N3G, IPD144N06NG, IPD160N04LG, IPD16CN10NG, IPD170N04NG, 50N06, IPD200N15N3G, IPD220N06L3G, IPD230N06LG, IPD230N06NG, IPD250N06N3G, IPD25CN10NG, IPD320N20N3G, IPD33CN10NG