IPD180N10N3G - аналоги и даташиты транзистора

 

IPD180N10N3G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPD180N10N3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 237 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD180N10N3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD180N10N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:506K  infineon
 ipd180n10n3g.pdf pdf_icon

IPD180N10N3G

IPD180N10N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max TO-263 18 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 43 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for hig

 3.1. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd180n10n3.pdf pdf_icon

IPD180N10N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD180N10N3,IIPD180N10N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)18mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 100

Другие MOSFET... IPD127N06LG , IPD12CN10NG , IPD135N03LG , IPD135N08N3G , IPD144N06NG , IPD160N04LG , IPD16CN10NG , IPD170N04NG , 50N06 , IPD200N15N3G , IPD220N06L3G , IPD230N06LG , IPD230N06NG , IPD250N06N3G , IPD25CN10NG , IPD320N20N3G , IPD33CN10NG .

History: CMT01N60 | BL6N120-W | BL7N60A-U | IPD50N04S4-08 | IXTH04N300P3HV | IRF7739L1 | CMRDM3575

 

 
Back to Top

 


 
.