IPD230N06LG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD230N06LG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD230N06LG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD230N06LG даташит

 ..1. Size:1005K  infineon
 ipd230n06lg.pdf pdf_icon

IPD230N06LG

% # ! % (>.;?6?@ %>E Features D P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?> mW D n) m x P ( 381>>581>35=5>C

 5.1. Size:1008K  infineon
 ipd230n06ng.pdf pdf_icon

IPD230N06LG

$ " " $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features V 60 V DS O >@ 32 32 2>=D4@B4@A 0=3 AG=2 @42B85820B8>= R 2 mW DS(on) max O ' 270==4; 4=70=24@?4@0B8=6 B4"+ 2> 0B R C=;4AA >B74@E8A4 A?4285843 j Parameter Sym

Другие IGBT... IPD135N08N3G, IPD144N06NG, IPD160N04LG, IPD16CN10NG, IPD170N04NG, IPD180N10N3G, IPD200N15N3G, IPD220N06L3G, IRF640, IPD230N06NG, IPD250N06N3G, IPD25CN10NG, IPD320N20N3G, IPD33CN10NG, IPD350N06LG, IPD400N06NG, IPD49CN10NG