Справочник MOSFET. IPD230N06NG

 

IPD230N06NG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD230N06NG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD230N06NG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD230N06NG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1008K  infineon
 ipd230n06ng.pdf pdf_icon

IPD230N06NG

$ " " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesV 60 VDSO >@ 32 32 2>=D4@B4@A 0=3 AG=2 @42B85820B8>=R 2 mWDS(on) maxO ' 270==4; 4=70=24@?4@0B8=6 B4"+ 2> 0B R C=;4AA >B74@E8A4 A?4285843jParameter Sym

 5.1. Size:1005K  infineon
 ipd230n06lg.pdf pdf_icon

IPD230N06NG

% # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?>mWD n) m xP ( 381>>581>35=5>C

Другие MOSFET... IPD144N06NG , IPD160N04LG , IPD16CN10NG , IPD170N04NG , IPD180N10N3G , IPD200N15N3G , IPD220N06L3G , IPD230N06LG , IRF1404 , IPD250N06N3G , IPD25CN10NG , IPD320N20N3G , IPD33CN10NG , IPD350N06LG , IPD400N06NG , IPD49CN10NG , IPD50N04S4-08 .

History: IXTH90N15T | SSM6K22FE | CEB07N7 | SVGP02R58NL5 | OSG60R030HTZF | CM84N06 | DMP2035UVT

 

 
Back to Top

 


 
.