IPD230N06NG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IPD230N06NG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IPD230N06NG
IPD230N06NG Datasheet (PDF)
ipd230n06ng.pdf

$ " " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesV 60 VDSO >@ 32 32 2>=D4@B4@A 0=3 AG=2 @42B85820B8>=R 2 mWDS(on) maxO ' 270==4; 4=70=24@?4@0B8=6 B4"+ 2> 0B R C=;4AA >B74@E8A4 A?4285843jParameter Sym
ipd230n06lg.pdf

% # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?>mWD n) m xP ( 381>>581>35=5>C
Другие MOSFET... IPD144N06NG , IPD160N04LG , IPD16CN10NG , IPD170N04NG , IPD180N10N3G , IPD200N15N3G , IPD220N06L3G , IPD230N06LG , IRF1404 , IPD250N06N3G , IPD25CN10NG , IPD320N20N3G , IPD33CN10NG , IPD350N06LG , IPD400N06NG , IPD49CN10NG , IPD50N04S4-08 .
History: SVF4N65RM | LSD65R180GT | ZXMN3B14FTA | SM6008NFP | FQPF90N10V2 | IPD320N20N3G | YJL3139KT
History: SVF4N65RM | LSD65R180GT | ZXMN3B14FTA | SM6008NFP | FQPF90N10V2 | IPD320N20N3G | YJL3139KT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet