IPD320N20N3G - аналоги и даташиты транзистора

 

IPD320N20N3G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPD320N20N3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD320N20N3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD320N20N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  infineon
 ipd320n20n3g.pdf pdf_icon

IPD320N20N3G

IPD320N20N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 200 V N-channel, normal levelRDS(on),max 32mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 34 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Halogen-free according to

 3.1. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd320n20n3.pdf pdf_icon

IPD320N20N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD320N20N3,IIPD320N20N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)32mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 200

Другие MOSFET... IPD170N04NG , IPD180N10N3G , IPD200N15N3G , IPD220N06L3G , IPD230N06LG , IPD230N06NG , IPD250N06N3G , IPD25CN10NG , IRF630 , IPD33CN10NG , IPD350N06LG , IPD400N06NG , IPD49CN10NG , IPD50N04S4-08 , IPD50N04S4-10 , IPD50N04S4L-08 , IPD50P04P4L-11 .

History: LSD65R180GT | 2SK301 | SM6008NFP | FQPF90N10V2

 

 
Back to Top

 


 
.