Справочник MOSFET. IPD320N20N3G

 

IPD320N20N3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD320N20N3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD320N20N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  infineon
 ipd320n20n3g.pdf pdf_icon

IPD320N20N3G

IPD320N20N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 200 V N-channel, normal levelRDS(on),max 32mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 34 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Halogen-free according to

 3.1. Size:242K  inchange semiconductor
 ipd320n20n3.pdf pdf_icon

IPD320N20N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD320N20N3,IIPD320N20N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)32mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 200

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 2SK2520-01MR | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV | IRLML9301TRPBF | ME2602-G | RU7550S | AUIRFZ34N

 

 
Back to Top

 


 
.