IPD640N06LG. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPD640N06LG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IPD640N06LG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPD640N06LG даташит
ipd640n06lg ipd640n06l g.pdf
% # ! % (>.;?6?@ %>E Features D P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?> 4 mW D n) m x P ( 381>>581>35=5>C
ipd640n06lg.pdf
IPD640N06LG www.VBsemi.tw N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a Available 175 C Junction Temperature 0.025 at VGS = 10 V 35 RoHS* 60 0.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANT TO-252 D G Drain Connected to Tab G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise n
ipd640n06l.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPD640N06L,IIPD640N06L FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 64m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Fast switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 60 V DSS V Ga
ipd64cn10ng ipu64cn10ng.pdf
$ " " $( " " $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features 100 V DS S ( 5 3@@7> @AD?3> >7H7> 64 m DS(on) max S J57>>7@F 93F7 5 3D97 J BDA6G5F !) ' DS(on) 17 A D S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 DS(on) S V AB7D3F;@9 F7?B7D3FGD7 S *4 8D77 >736 B>3F;@9 , A#- 5A?B>;3@F 1) S + G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@ S $673> 8AD ;9 8D7CG7@5K EI;F5 ;@9 3@6 EK@5 DA@AGE D
Другие IGBT... IPD60R450E6, IPD60R520C6, IPD60R520CP, IPD60R600C6, IPD60R600CP, IPD60R600E6, IPD60R750E6, IPD60R950C6, SPP20N60C3, IPD64CN10NG, IPD65R380C6, IPD65R380E6, IPD65R600C6, IPD65R600E6, IPD65R660CFD, IPD70P04P4-09, IPD75N04S4-06
History: IPD60R600E6
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645



