Справочник MOSFET. IPD64CN10NG

 

IPD64CN10NG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPD64CN10NG
   Маркировка: 64CN10N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IPD64CN10NG

 

 

IPD64CN10NG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:781K  1
 ipd64cn10ng ipu64cn10ng.pdf

IPD64CN10NG IPD64CN10NG

$ " " $( " " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 100 VDSS ( 5:3@@7> @AD?3> >7H7> 64 m DS(on) maxS J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !) ' DS(on) 17 ADS 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 DS(on)S V AB7D3F;@9 F7?B7D3FGD7S *4 8D77 >736 B>3F;@9 , A#- 5A?B>;3@F1)S + G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@S $673> 8AD :;9: 8D7CG7@5K EI;F5:;@9 3@6 EK@5:DA@AGE D

 9.1. Size:993K  infineon
 ipd640n06lg ipd640n06l g.pdf

IPD64CN10NG IPD64CN10NG

% # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?> 4 mWD n) m xP ( 381>>581>35=5>C

 9.2. Size:769K  cn vbsemi
 ipd640n06lg.pdf

IPD64CN10NG IPD64CN10NG

IPD640N06LGwww.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise n

 9.3. Size:241K  inchange semiconductor
 ipd640n06l.pdf

IPD64CN10NG IPD64CN10NG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD640N06L,IIPD640N06LFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)64mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 60 VDSSV Ga

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top