Справочник MOSFET. IPG20N06S2L-50

 

IPG20N06S2L-50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPG20N06S2L-50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TDSON84
 

 Аналог (замена) для IPG20N06S2L-50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPG20N06S2L-50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  infineon
ipg20n06s2l-50 ipg20n06s2l-50 ds 10.pdfpdf_icon

IPG20N06S2L-50

IPG20N06S2L-50OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryV 55 VDS4)50mRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N06S2L-50 PG-TDSON-8-4 2N0

 0.1. Size:196K  infineon
ipg20n06s2l-50a.pdfpdf_icon

IPG20N06S2L-50

IPG20N06S2L-50AOptiMOS Power-TransistorProduct SummaryVDS 55 VRDS(on),max4) 50mID 20 AFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI)Type Pac

 2.1. Size:162K  infineon
ipg20n06s2l-35 ipg20n06s2l-35 ds 10.pdfpdf_icon

IPG20N06S2L-50

IPG20N06S2L-35OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryV 55 VDS4)35mRDS(on),maxI 20 ADFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-4 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPG20N06S2L-35 PG-TDSON-8-4 2N0

 2.2. Size:201K  infineon
ipg20n06s2l-65a.pdfpdf_icon

IPG20N06S2L-50

IPG20N06S2L-65AOptiMOS Power-TransistorProduct SummaryVDS55 VRDS(on),max3)65mID20 AFeatures Dual N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TDSON-8-10 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Feasible for automatic optical inspection (AOI)Type

Другие MOSFET... IPD90R1K2C3 , IPG20N04S4-08 , IPG20N04S4-09 , IPG20N04S4-12 , IPG20N04S4L-07 , IPG20N04S4L-08 , IPG20N04S4L-11 , IPG20N06S2L-35 , STP80NF70 , IPG20N06S2L-65 , IPG20N06S4-15 , IPG20N06S4L-11 , IPG20N06S4L-14 , IPG20N06S4L-26 , IPI100N04S3-03 , IPI100N08S2-07 , IPI100N10S3-05 .

History: IRF5805 | ME10N15-G | SI4N65 | SSP60R099S2E | 2SK1794 | ME2301DC-G | JCS9N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.