Справочник MOSFET. IPI80N06S4L-07

 

IPI80N06S4L-07 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPI80N06S4L-07
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm
   Тип корпуса: TO262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPI80N06S4L-07 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  infineon
 ipb80n06s4l-07 ipi80n06s4l-07 ipp80n06s4l-07 ipp80n06s4l ipb80n06s4l ipi80n06s4l-07.pdf pdf_icon

IPI80N06S4L-07

IPB80N06S4L-07IPI80N06S4L-07, IPP80N06S4L-07OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 6.4mDS(on),max I 80 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

 1.1. Size:174K  infineon
 ipi80n06s4l-05 ipp80n06s4l-05 ipb80n06s4l-05.pdf pdf_icon

IPI80N06S4L-07

IPB80N06S4L-05IPI80N06S4L-05, IPP80N06S4L-05OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 4.8mDS(on),max I 80 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

 1.2. Size:170K  infineon
 ipb80n06s4l-05 ipi80n06s4l-05 ipp80n06s4l-05.pdf pdf_icon

IPI80N06S4L-07

IPB80N06S4L-05IPI80N06S4L-05, IPP80N06S4L-05OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 4.8mDS(on),max I 80 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

 4.1. Size:175K  infineon
 ipi80n06s4-07 ipp80n06s4-07 ipb80n06s4-07.pdf pdf_icon

IPI80N06S4L-07

IPB80N06S4-07IPI80N06S4-07, IPP80N06S4-07OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 7.1mDS(on),max I 80 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: PSMN4R2-30MLD | OSG55R074HSZF | FDC654P | SPD04N60C3 | 2SK1501 | 2SJ549 | PNMET20V06E

 

 
Back to Top

 


 
.