IPI139N08N3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPI139N08N3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 353 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0139 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для IPI139N08N3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPI139N08N3G даташит

 3.1. Size:496K  infineon
 ipb136n08n3-g ipp139n08n3-g ipi139n08n3-g.pdf pdf_icon

IPI139N08N3G

IPP139N08N3 G IPI139N08N3 G IPB136N08N3 G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 80 V DS Ideal for high frequency switching R 13.6 m DS(on),max (SMD) Optimized technology for DC/DC converters I 45 A D Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qual

Другие IGBT... IPI100N08N3G, IPI110N20N3G, IPI111N15N3G, IPI120N04S4-01, IPI120N04S4-02, IPI120N06S4-02, IPI120N06S4-H1, IPI126N10N3G, IRFP260, IPI147N12N3G, IPI180N10N3G, IPI200N15N3G, IPI200N25N3G, IPI26CN10NG, IPI320N20N3G, IPI35CN10NG, IPI50CN10NG