IPI139N08N3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPI139N08N3G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 353 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0139 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для IPI139N08N3G
IPI139N08N3G Datasheet (PDF)
ipb136n08n3-g ipp139n08n3-g ipi139n08n3-g.pdf

IPP139N08N3 G IPI139N08N3 GIPB136N08N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 80 VDS Ideal for high frequency switching R 13.6mDS(on),max (SMD) Optimized technology for DC/DC convertersI 45 AD Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qual
Другие MOSFET... IPI100N08N3G , IPI110N20N3G , IPI111N15N3G , IPI120N04S4-01 , IPI120N04S4-02 , IPI120N06S4-02 , IPI120N06S4-H1 , IPI126N10N3G , 8205A , IPI147N12N3G , IPI180N10N3G , IPI200N15N3G , IPI200N25N3G , IPI26CN10NG , IPI320N20N3G , IPI35CN10NG , IPI50CN10NG .
History: AP0903GM | SJMN600R70I | FDB9406L-F085
History: AP0903GM | SJMN600R70I | FDB9406L-F085



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor