Справочник MOSFET. IPI139N08N3G

 

IPI139N08N3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPI139N08N3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 353 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0139 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для IPI139N08N3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPI139N08N3G Datasheet (PDF)

 3.1. Size:496K  infineon
 ipb136n08n3-g ipp139n08n3-g ipi139n08n3-g.pdf pdf_icon

IPI139N08N3G

IPP139N08N3 G IPI139N08N3 GIPB136N08N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 80 VDS Ideal for high frequency switching R 13.6mDS(on),max (SMD) Optimized technology for DC/DC convertersI 45 AD Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qual

Другие MOSFET... IPI100N08N3G , IPI110N20N3G , IPI111N15N3G , IPI120N04S4-01 , IPI120N04S4-02 , IPI120N06S4-02 , IPI120N06S4-H1 , IPI126N10N3G , 8205A , IPI147N12N3G , IPI180N10N3G , IPI200N15N3G , IPI200N25N3G , IPI26CN10NG , IPI320N20N3G , IPI35CN10NG , IPI50CN10NG .

History: IPP80N04S2-04 | BLM8205 | NTMFS5C426NLT1G | CS4905S | IRFH8318PBF | 8N65 | FQP7N40

 

 
Back to Top

 


 
.