IPI147N12N3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPI147N12N3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 304 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0147 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для IPI147N12N3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPI147N12N3G даташит

 ..1. Size:771K  infineon
 ipb144n12n3g ipi147n12n3g ipp147n12n3g ipp147n12n3 ipi147n12n3 ipb144n12n3.pdf pdf_icon

IPI147N12N3G

IPB144N12N3 G IPI147N12N3 G IPP147N12N3 G 3 Power-Transistor Product Summary Features V 1 D R ( 492??6= ?@C>2= =6G6= R 14 7 m - @? >2I R I46==6?E 82E6 492C86 I R AC@5F4E !) ' D n) I D R /6CJ =@H @? C6D DE2?46 R D n) R U @A6C2E ?8 E6>A6C2EFC6 R *3 7C66 =625 A=2E ?8 , @#- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ % 7@C E2C86E 2AA= 42E @? R $562= 7@C 9 89 7C6BF6?4J DH

 3.1. Size:270K  inchange semiconductor
 ipi147n12n3.pdf pdf_icon

IPI147N12N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI147N12N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 14.7m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

 9.1. Size:348K  infineon
 ipb14n03la ipi14n03la ipp14n03la.pdf pdf_icon

IPI147N12N3G

Другие IGBT... IPI110N20N3G, IPI111N15N3G, IPI120N04S4-01, IPI120N04S4-02, IPI120N06S4-02, IPI120N06S4-H1, IPI126N10N3G, IPI139N08N3G, 4435, IPI180N10N3G, IPI200N15N3G, IPI200N25N3G, IPI26CN10NG, IPI320N20N3G, IPI35CN10NG, IPI50CN10NG, IPI50R140CP