IPI180N10N3G - аналоги и даташиты транзистора

 

IPI180N10N3G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPI180N10N3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 237 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для IPI180N10N3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPI180N10N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:559K  infineon
 ipp180n10n3g ipi180n10n3g.pdf pdf_icon

IPI180N10N3G

## ! ! # ! ! TM #:A0

 3.1. Size:299K  infineon
 ipp180n10n3-g ipi180n10n3-g.pdf pdf_icon

IPI180N10N3G

IPP180N10N3 GIPI180N10N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 18mDS(on),max TO-263 Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 43 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target applicatio

 3.2. Size:261K  inchange semiconductor
 ipi180n10n3.pdf pdf_icon

IPI180N10N3G

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPI180N10N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 18mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Другие MOSFET... IPI111N15N3G , IPI120N04S4-01 , IPI120N04S4-02 , IPI120N06S4-02 , IPI120N06S4-H1 , IPI126N10N3G , IPI139N08N3G , IPI147N12N3G , SPP20N60C3 , IPI200N15N3G , IPI200N25N3G , IPI26CN10NG , IPI320N20N3G , IPI35CN10NG , IPI50CN10NG , IPI50R140CP , IPI50R199CP .

History: NCE30P25BQ | GSM3460

 

 
Back to Top

 


 
.