IPI35CN10NG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPI35CN10NG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO262
IPI35CN10NG Datasheet (PDF)
ipb34cn10ng ipd33cn10ng ipi35cn10ng ipp35cn10ng ipb34cn10n ipd33cn10n ipi35cn10n ipp35cn10n.pdf

IPB34CN10N G IPD33CN10N GIPI35CN10N G IPP35CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max (TO252) 33 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 27 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) f
ipb35cn10n-g ipd33cn10n-g ipi35cn10n-g ipp35cn10n-g ipu33cn10n-g.pdf

IPB35CN10N G IPD33CN10N GIPI35CN10N G IPP35CN10N G IPU33CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 34mDS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 27 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified accordi
ipi35cn10n.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPI35CN10NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.035Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(
Другие MOSFET... IPI126N10N3G , IPI139N08N3G , IPI147N12N3G , IPI180N10N3G , IPI200N15N3G , IPI200N25N3G , IPI26CN10NG , IPI320N20N3G , 4N60 , IPI50CN10NG , IPI50R140CP , IPI50R199CP , IPI50R250CP , IPI50R299CP , IPI50R350CP , IPI50R380CE , IPI50R399CP .
History: SI7136DP | TK31E60X | FDB0630N1507L | APT20M19JVR | SDF02N20
History: SI7136DP | TK31E60X | FDB0630N1507L | APT20M19JVR | SDF02N20



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0611PP | JMSL0611PGD | JMSL0611PG | JMSL0610AGDQ | JMSL0610AGD | JMSL060SPGQ | JMSL0609PPD | JMSL0609AUQ | JMSL0609AU | JMSL0609APD | JMSL0609AP | JMSL0609AKQ | JMSL0609AK | JMSL0609AGWQ | JMSL0609AGQ | JMSL0609AG
Popular searches
bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904