APT8030LVR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT8030LVR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 645 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для APT8030LVR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT8030LVR даташит

 ..1. Size:60K  apt
 apt8030lvr.pdf pdf_icon

APT8030LVR

APT8030LVR 800V 27A 0.300 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower

 5.1. Size:62K  apt
 apt8030lvfr.pdf pdf_icon

APT8030LVR

APT8030LVFR 800V 27A 0.300 POWER MOS V FREDFET Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Recovery Body Diode 100% Avalanche Tes

 7.1. Size:61K  apt
 apt8030jn.pdf pdf_icon

APT8030LVR

D G APT8030JN 800V 27.0A 0.30 S APT8035JN 800V 25.0A 0.35 ISOTOP "UL Recognized" File No. E145592 (S) POWER MOS IV SINGLE DIE ISOTOP PACKAGE N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. APT APT Symbol Parameter 8030JN 8035JN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 800 800 Volts ID Continuous Drain Cu

 7.2. Size:58K  apt
 apt8030b2vr.pdf pdf_icon

APT8030LVR

APT8030B2VR 800V 27A 0.300 POWER MOS V T-MAX Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT8028JVR, APT802R4KN, APT8030B2VFR, APT8030B2VR, APT8030JN, APT8030JVFR, APT8030JVR, APT8030LVFR, IRF540N, APT8056BVFR, APT8056BVR, APT8058HVR, APT8065AVR, APT8065BVFR, APT8065BVR, APT8065SVR, APT8067HVR