Справочник MOSFET. IPI60R099CPA

 

IPI60R099CPA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPI60R099CPA
   Маркировка: 6R099A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 255 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TO262

 Аналог (замена) для IPI60R099CPA

 

 

IPI60R099CPA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  infineon
 ipi60r099cpa.pdf

IPI60R099CPA IPI60R099CPA

IPI60R099CPACoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryV 600 VDSR 0.105DS(on),maxQ 60 nCg,typFeatures Worldwide best Rds,on in TO262 Ultra low gate chargePG-TO262-3-1 Extreme dv/dt rated High peak current capability Automotive AEC Q101 qualified Green package (RoHS compliant)CoolMOS CPA is specially designed for: DC/DC converters for A

 3.1. Size:620K  infineon
 ipi60r099cp.pdf

IPI60R099CPA IPI60R099CPA

IPI60R099CPCoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV @ Tj,max 650 VDS Worldwide best R in TO220ds,onR 0.099DS(on),max Ultra low gate chargeQ 60 nCg,typ Extreme dv/dt rated High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TO262-3-1 Pb-free lead plating; RoHS compliantCoolMOS CP is specially

 3.2. Size:285K  infineon
 ipi60r099cp rev20 a.pdf

IPI60R099CPA IPI60R099CPA

IPI60R099CPCoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV @ Tj,max 650 VDS Worldwide best R in TO220ds,onR 0.099DS(on),max Ultra low gate chargeQ 60 nCg,typ Extreme dv/dt rated High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TO262-3-1 Pb-free lead plating; RoHS compliantCoolMOS CP is specially

 3.3. Size:287K  inchange semiconductor
 ipi60r099cp.pdf

IPI60R099CPA IPI60R099CPA

isc N-Channel MOSFET Transistor IPI60R099CPFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.099Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONUltra low gate chargeHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top