IPL60R199CP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPL60R199CP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.199 Ohm

Тип корпуса: THINPAK8X8

Аналог (замена) для IPL60R199CP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPL60R199CP даташит

 ..1. Size:1597K  infineon
 ipl60r199cp.pdf pdf_icon

IPL60R199CP

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CP 600V CoolMOS CP Power Transistor IPL60R199CP Data Sheet Rev. 2.0, 2010-10-01 Final Industrial & Multimarket 600V CoolMOS CP Power Transistor IPL60R199CP 1 Description The CoolMOS CP series offers devices which provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely

 7.1. Size:1325K  infineon
 ipl60r185p7.pdf pdf_icon

IPL60R199CP

IPL60R185P7 MOSFET ThinPAK 8x8 600V CoolMOS P7 Power Transistor The CoolMOS 7th generation platform is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The 600V CoolMOS P7 series is the successor to the CoolMOS P6 series. It combines the benefits of a fast switching SJ MOS

 7.2. Size:1634K  infineon
 ipl60r180p6.pdf pdf_icon

IPL60R199CP

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS P6 600V CoolMOS P6 Power Transistor IPL60R180P6 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 600V CoolMOS P6 Power Transistor IPL60R180P6 ThinPAK 8x8 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

 7.3. Size:1316K  infineon
 ipl60r125p7.pdf pdf_icon

IPL60R199CP

IPL60R125P7 MOSFET ThinPAK 8x8 600V CoolMOS P7 Power Transistor The CoolMOS 7th generation platform is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The 600V CoolMOS P7 series is the successor to the CoolMOS P6 series. It combines the benefits of a fast switching SJ MOS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPI70N04S4-06, IPI80CN10NG, IPI80N04S4-03, IPI90R1K0C3, IPI90R1K2C3, IPI90R340C3, IPI90R500C3, IPI90R800C3, IRF1405, IPL60R299CP, IPL60R385CP, IPP100N04S2-04, IPP100N04S2L-03, IPP100N04S3-03, IPP100N06S2-05, IPP100N06S2L-05, IPP100N08S2-07