APT8065BVFR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT8065BVFR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для APT8065BVFR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT8065BVFR даташит

 ..1. Size:63K  apt
 apt8065bvfr.pdf pdf_icon

APT8065BVFR

APT8065BVFR 800V 13A 0.650 POWER MOS V FREDFET Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Recovery Body Diode 100% Avalanche Test

 ..2. Size:376K  inchange semiconductor
 apt8065bvfr.pdf pdf_icon

APT8065BVFR

isc N-Channel MOSFET Transistor APT8065BVFR FEATURES Drain Current I =13A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =800V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.65 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

 5.1. Size:60K  apt
 apt8065bvr.pdf pdf_icon

APT8065BVFR

APT8065BVR 800V 13A 0.650 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower L

 5.2. Size:376K  inchange semiconductor
 apt8065bvr.pdf pdf_icon

APT8065BVFR

isc N-Channel MOSFET Transistor APT8065BVR FEATURES Drain Current I =13A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =800V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.65 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT8030JVFR, APT8030JVR, APT8030LVFR, APT8030LVR, APT8056BVFR, APT8056BVR, APT8058HVR, APT8065AVR, IRF640, APT8065BVR, APT8065SVR, APT8067HVR, APT8075BN, APT8075BVR, BF1100, BF1100R, BF1100WR