IPP80N06S2-07. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPP80N06S2-07

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 880 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IPP80N06S2-07

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP80N06S2-07 даташит

 ..1. Size:158K  infineon
 ipb80n06s2-07 ipp80n06s2-07 ipi80n06s2-07 ipp80n06s2-07 ipb80n06s2-07 ipi80n06s2-07.pdf pdf_icon

IPP80N06S2-07

IPB80N06S2-07 IPP80N06S2-07, IPI80N06S2-07 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel - Enhancement mode R (SMD version) 6.3 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 80 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 PG-TO262-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on)

 2.1. Size:155K  infineon
 ipp80n06s2-05 ipb80n06s2-05.pdf pdf_icon

IPP80N06S2-07

IPB80N06S2-05 IPP80N06S2-05 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel - Enhancement mode R (SMD version) 4.8 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 80 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type

 2.2. Size:158K  infineon
 ipb80n06s2-08 ipp80n06s2-08 ipi80n06s2-08 ipp80n06s2-08 ipb80n06s2-08 ipi80n06s2-08.pdf pdf_icon

IPP80N06S2-07

IPB80N06S2-08 IPP80N06S2-08, IPI80N06S2-08 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel - Enhancement mode R (SMD version) 7.7 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 80 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 PG-TO262-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on)

 2.3. Size:155K  infineon
 ipb80n06s2-09 ipp80n06s2-09 ipp80n06s2-09 ipb80n06s2-09.pdf pdf_icon

IPP80N06S2-07

IPB80N06S2-09 IPP80N06S2-09 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel - Enhancement mode R (SMD version) 8.8 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 80 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPP80N04S2L-03, IPP80N04S3-03, IPP80N04S3-04, IPP80N04S3-06, IPP80N04S3-H4, IPP80N04S4-04, IPP80N04S4L-04, IPP80N06S2-05, 10N60, IPP80N06S2-08, IPP80N06S2-09, IPP80N06S2-H5, IPP80N06S2L-05, IPP80N06S2L-06, IPP80N06S2L-07, IPP80N06S2L-09, IPP80N06S2L-11