IPP80N06S2L-11 - аналоги и даташиты транзистора

 

IPP80N06S2L-11 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPP80N06S2L-11
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 585 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IPP80N06S2L-11

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP80N06S2L-11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  infineon
 ipb80n06s2l-11 ipp80n06s2l-11 ipi80n06s2l-11 ipp80n06s2l-11 ipb80n06s2l-11 ipi80n06s2l-11.pdf pdf_icon

IPP80N06S2L-11

IPB80N06S2L-11IPP80N06S2L-11, IPI80N06S2L-11OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 10.7mWDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 80 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 PG-TO262-3-1 Green package (lead free) Ultra lo

 2.1. Size:158K  infineon
 ipp80n06s2l-05 ipb80n06s2l-05 ipi80n06s2l-05.pdf pdf_icon

IPP80N06S2L-11

IPB80N06S2L-05IPI80N06S2L-05, IPP80N06S2L-05OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 4.5mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 80 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 PG-TO262-3-1 Green package (lead free) Ultra l

 2.2. Size:155K  infineon
 ipb80n06s2l-09 ipp80n06s2l-09 ipp80n06s2l-09 ipb80n06s2l-09.pdf pdf_icon

IPP80N06S2L-11

IPB80N06S2L-09IPP80N06S2L-09OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 8.3mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 80 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanch

 2.3. Size:155K  infineon
 ipb80n06s2l-07 ipp80n06s2l-07 ipp80n06s2l-07 ipb80n06s2l-07.pdf pdf_icon

IPP80N06S2L-11

IPB80N06S2L-07IPP80N06S2L-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 6.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 80 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPP80N06S2-07 , IPP80N06S2-08 , IPP80N06S2-09 , IPP80N06S2-H5 , IPP80N06S2L-05 , IPP80N06S2L-06 , IPP80N06S2L-07 , IPP80N06S2L-09 , 7N65 , IPP80N06S2L-H5 , IPP80N06S4-05 , IPP80N06S4-07 , IPP80N06S4L-05 , IPP80N06S4L-07 , IPP80N08S2-07 , IPP80N08S2L-07 , IPP80P03P4L-04 .

History: 2SK2288 | TK160F10N1 | NCE8290AC | AONS32306 | QM3007K | 2SK2707 | GP1M018A020XX

 

 
Back to Top

 


 
.