Справочник MOSFET. IPP90N06S4L-04

 

IPP90N06S4L-04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPP90N06S4L-04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2060 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IPP90N06S4L-04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP90N06S4L-04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  infineon
 ipb90n06s4l-04 ipi90n06s4l-04 ipp90n06s4l-04 ipp90n06s4l ipb90n06s4l ipi90n06s4l-04 ds 10.pdf pdf_icon

IPP90N06S4L-04

IPB90N06S4L-04IPI90N06S4L-04, IPP90N06S4L-04OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 3.4mDS(on),max I 90 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

 4.1. Size:167K  infineon
 ipi90n06s4-04 ipp90n06s4-04 ipb90n06s4-04.pdf pdf_icon

IPP90N06S4L-04

IPB90N06S4-04IPI90N06S4-04, IPP90N06S4-04OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 3.7mDS(on),max I 90 ADFeaturesPG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType P

 4.2. Size:170K  infineon
 ipb90n06s4-04 ipi90n06s4-04 ipp90n06s4-04.pdf pdf_icon

IPP90N06S4L-04

IPB90N06S4-04IPI90N06S4-04, IPP90N06S4-04OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 3.7mDS(on),max I 90 ADFeaturesPG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType P

 7.1. Size:163K  infineon
 ipi90n04s4-02 ipp90n04s4-02 ipb90n04s4-02.pdf pdf_icon

IPP90N06S4L-04

IPB90N04S4-02IPI90N04S4-02, IPP90N04S4-02OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR (SMD version) 2.1mDS(on),max I 90 ADFeaturesPG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPP80N06S4L-05 , IPP80N06S4L-07 , IPP80N08S2-07 , IPP80N08S2L-07 , IPP80P03P4L-04 , IPP80P03P4L-07 , IPP90N04S4-02 , IPP90N06S4-04 , 2SK3568 , IPP015N04NG , IPP023N04NG , IPP023NE7N3G , IPP024N06N3G , IPP028N08N3G , IPP030N10N3G , IPP032N06N3G , IPP034N03LG .

History: ME2312-G

 

 
Back to Top

 


 
.