APT8075BN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT8075BN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для APT8075BN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT8075BN даташит

 ..1. Size:50K  apt
 apt8075bn.pdf pdf_icon

APT8075BN

D TO-247 G APT8075BN 800V 13.0A 0.75 S APT8090BN 800V 12.0A 0.90 POWER MOS IV N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. APT APT Symbol Parameter 8075BN 8090BN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 800 800 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 13 12 Amps IDM Pulsed Drain Current 1 56 48 V

 6.1. Size:52K  apt
 apt8075bvfrg.pdf pdf_icon

APT8075BN

APT8075BVFR 800V 12A 0.750 POWER MOS V FREDFET Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Recovery Body Diode 100% Avalanche Test

 6.2. Size:62K  apt
 apt8075bvr.pdf pdf_icon

APT8075BN

APT8075BVR 800V 12A 0.750 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower L

 6.3. Size:72K  apt
 apt8075bvfr.pdf pdf_icon

APT8075BN

APT8075BVFR 800V 12A 0.750 POWER MOS V FREDFET Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Recovery Body Diode 100% Avalanche Test

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT8056BVFR, APT8056BVR, APT8058HVR, APT8065AVR, APT8065BVFR, APT8065BVR, APT8065SVR, APT8067HVR, IRF640N, APT8075BVR, BF1100, BF1100R, BF1100WR, BF1101, BF1101R, BF1101WR, BF1102