IPP030N10N3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPP030N10N3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1940 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IPP030N10N3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP030N10N3G даташит

 ..1. Size:575K  infineon
 ipp030n10n3g.pdf pdf_icon

IPP030N10N3G

$$ " " $ " " $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features 1 D Q ' 381>>5?B=1

 ..2. Size:536K  infineon
 ipi030n10n3g ipp030n10n3g ipp030n10n3g ipi030n10n3g.pdf pdf_icon

IPP030N10N3G

IPP030N10N3 G IPI030N10N3 G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel, normal level RDS(on),max 3 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 100 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for h

 3.1. Size:245K  inchange semiconductor
 ipp030n10n3.pdf pdf_icon

IPP030N10N3G

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPP030N10N3 IIPP030N10N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 3m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE M

 4.1. Size:1820K  infineon
 ipp030n10n5.pdf pdf_icon

IPP030N10N3G

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 5 Power-Transistor, 100 V IPP030N10N5 Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 5 Power-Transistor, 100 V IPP030N10N5 TO-220-3 1 Description tab Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-re

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPP90N04S4-02, IPP90N06S4-04, IPP90N06S4L-04, IPP015N04NG, IPP023N04NG, IPP023NE7N3G, IPP024N06N3G, IPP028N08N3G, 12N60, IPP032N06N3G, IPP034N03LG, IPP034NE7N3G, IPP037N06L3G, IPP037N08N3G, IPP039N04LG, IPP040N06N3G, IPP041N04NG