IPP06CN10NG datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IPP06CN10NG 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO220
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IPP06CN10NG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPP06CN10NG даташит
ipb06cn10n-g ipi06cn10n-g ipp06cn10n-g.pdf
IPB06CN10N G IPI06CN10N G IPP06CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R 6.2 m DS(on),max (TO263) Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 100 A D Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target
ipp06cn10n.pdf
IPB06CN10N G IPI06CN10N G IPP06CN10N G 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS R ( 492??6= ?@C>2= =6G6= R 6.2 m - @? >2I .) R I46==6?E 82E6 492C86 I R AC@5F4E !) ' DS(on) I 100 A D R /6CJ =@H @? C6D DE2?46 R DS(on) R U @A6C2E ?8 E6>A6C2EFC6 R *3 7C66 =625 A=2E ?8 , @#- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ % 7@C E2C86E 2AA= 42E @? R $562= 7@C 9 89 7
ipp06cn10l1.pdf
%% # ! % (>.;?6?@ %>E Features 1 D S ) 5 3@@7> >A9;5 >7H7> m . A@ ?3J S J57>>7@F 93F7 5 3D97 J BDA6G5F !* ( D n) 1 D S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 D n) S V AB7D3F;@9 F7?B7D3FGD7 S +4 8D77 >736 B>3F;@9 - A#. 5A?B>;3@F 1) S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@ S $673> 8AD ;9 8D7CG7@5K EI;F5 ;@9 3@6 EK@5 DA@AGE D75F;8;53F;A@ pe $++
Другие IGBT... IPP057N08N3G, IPP05CN10LG, IPP05CN10NG, IPP062NE7N3G, IPP065N03LG, IPP065N04NG, IPP065N06LG, IPP06CN10LG, IRF530, IPP070N06LG, IPP070N06NG, IPP070N08N3G, IPP072N10N3G, IPP075N15N3G, IPP076N12N3G, IPP080N03LG, IPP080N06NG
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: JMSL0630AU | JMSL1018PK | SMMBFJ310LT1G | FX30KMJ-3 | SE10080A | 2N5518 | IPP072N10N3G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394



