Справочник MOSFET. IPP114N03LG

 

IPP114N03LG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPP114N03LG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0114 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IPP114N03LG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP114N03LG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:300K  infineon
ipb114n03l-g ipp114n03l-g.pdfpdf_icon

IPP114N03LG

Type IPP114N03L GIPB114N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 11.4mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 30 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on

 4.2. Size:617K  infineon
ipp114n03l.pdfpdf_icon

IPP114N03LG

pe %% # ! % # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- 11 4m - @? >2H Q ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BCD1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CQ ( 492??6= =@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @"- 4@>A=:2?DQ "2=@86? 7B6

 7.1. Size:304K  infineon
ipp114n12n3g.pdfpdf_icon

IPP114N03LG

IPP114N12N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 120 V N-channel, normal levelRDS(on)max 11.4m Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 75 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant; halogen free Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for

 7.2. Size:245K  inchange semiconductor
ipp114n12n3.pdfpdf_icon

IPP114N03LG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP114N12N3IIPP114N12N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 11.4mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITION Ideal for high-frequency switching and synchronous rectificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

Другие MOSFET... IPP08CN10NG , IPP093N06N3G , IPP096N03LG , IPP100N04S4-H2 , IPP100N08N3G , IPP110N06LG , IPP110N20N3G , IPP111N15N3G , HY1906P , IPP114N12N3G , IPP120N04S4-01 , IPP120N04S4-02 , IPP120N06NG , IPP120N06S4-02 , IPP120N06S4-H1 , IPP126N10N3G , IPP12CN10LG .

History: WMO14N65C4 | NTMS4939NR2G

 

 
Back to Top

 


 
.