IPP12CN10NG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPP12CN10NG

Маркировка: 12CN10N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 67 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 49 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 489 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0129 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IPP12CN10NG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP12CN10NG даташит

 ..1. Size:858K  infineon
 ipb12cn10ng ipd12cn10ng ipi12cn10ng ipp12cn10ng ipb12cn10ng ipi12cn10ng.pdf pdf_icon

IPP12CN10NG

IPB12CN10N G IPD12CN10N G IPI12CN10N G IPP12CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel, normal level RDS(on),max (TO252) 12.4 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 67 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)

 4.1. Size:623K  infineon
 ipb12cn10n-g ipd12cn10n-g ipi12cn10n-g ipp12cn10n-g.pdf pdf_icon

IPP12CN10NG

IPB12CN10N G IPD12CN10N G IPI12CN10N G IPP12CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R (TO252) 12.4 m DS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 67 A D Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC

 4.2. Size:246K  inchange semiconductor
 ipp12cn10n.pdf pdf_icon

IPP12CN10NG

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPP12CN10N IIPP12CN10N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 12.9m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MA

 5.1. Size:614K  infineon
 ipp12cn10l-g ips12cn10l-g.pdf pdf_icon

IPP12CN10NG

IPS12CN10L G IPP12CN10L G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel, logic level RDS(on),max 12 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 69 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPP114N12N3G, IPP120N04S4-01, IPP120N04S4-02, IPP120N06NG, IPP120N06S4-02, IPP120N06S4-H1, IPP126N10N3G, IPP12CN10LG, IRF840, IPP139N08N3G, IPP147N03LG, IPP147N12N3G, IPP16CN10LG, IPP16CN10NG, IPP180N10N3G, IPP200N15N3G, IPP200N25N3G