IPP200N15N3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPP200N15N3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 214 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IPP200N15N3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP200N15N3G даташит

 ..1. Size:993K  infineon
 ipb200n15n3g ipd200n15n3g ipi200n15n3g ipp200n15n3g ipb200n15n3 ipd200n15n3 ipi200n15n3 ipp200n15n3.pdf pdf_icon

IPP200N15N3G

IPB200N15N3 G IPD200N15N3 G IPI200N15N3 G IPP200N15N3 G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 150 V N-channel, normal level RDS(on),max 20 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 50 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for t

 3.1. Size:245K  inchange semiconductor
 ipp200n15n3.pdf pdf_icon

IPP200N15N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP200N15N3,IIPP200N15N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 20m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ideal for high frequency switching and sync. Rec. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL

 7.1. Size:758K  infineon
 ipb200n25n3-g ipp200n25n3-g ipi200n25n3-g ipb200n25n3g ipp200n25n3g ipi200n25n3g.pdf pdf_icon

IPP200N15N3G

 7.2. Size:244K  inchange semiconductor
 ipp200n25n3.pdf pdf_icon

IPP200N15N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP200N25N3 IIPP200N25N3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 20m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPP12CN10LG, IPP12CN10NG, IPP139N08N3G, IPP147N03LG, IPP147N12N3G, IPP16CN10LG, IPP16CN10NG, IPP180N10N3G, IRF640, IPP200N25N3G, IPP230N06L3G, IPP260N06N3G, IPP26CN10NG, IPP320N20N3G, IPP35CN10NG, IPP50CN10NG, IPP50R140CP