IPP50R399CP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPP50R399CP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.399 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IPP50R399CP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP50R399CP даташит

 ..1. Size:547K  infineon
 ipp50r399cp.pdf pdf_icon

IPP50R399CP

IPP50R399CP C IMOSTM # A0

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
 ipp50r399cp.pdf pdf_icon

IPP50R399CP

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP50R399CP IIPP50R399CP FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.399 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Ultra low gate charge High peak current capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

 7.1. Size:2917K  infineon
 ipp50r380ce.pdf pdf_icon

IPP50R399CP

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CE 500V CoolMOS CE Power Transistor IPx50R380CE Data Sheet Rev. 2.0, 2010-08-27 Final Industrial & Multimarket 500V CoolMOS CE Power Transistor IPP50R380CE, IPA50R380CE IPI50R380CE 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (S

 7.2. Size:563K  infineon
 ipp50r350cp.pdf pdf_icon

IPP50R399CP

IPP50R350CP C IMOSTM # A0

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPP35CN10NG, IPP50CN10NG, IPP50R140CP, IPP50R199CP, IPP50R250CP, IPP50R299CP, IPP50R350CP, IPP50R380CE, 8205A, IPP50R520CP, IPP530N15N3G, IPP600N25N3G, IPP60R099C6, IPP60R099CP, IPP60R099CPA, IPP60R125C6, IPP60R125CP