IPP60R125C6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPP60R125C6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IPP60R125C6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP60R125C6 даташит

 ..1. Size:1257K  infineon
 ipa60r125c6 ipb60r125c6 ipp60r125c6 ipw60r125c6.pdf pdf_icon

IPP60R125C6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 600V 600V CoolMOS C6 Power Transistor IPx60R125C6 Data Sheet Rev. 2.3 Final Power Management & Multimarket 600V C IMOS C6 P wer Transist r IPA60R125C6, IPB60R125C6 IPP60R125C6 IPW60R125C6 1 Descripti n CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs designed according to the superj

 ..2. Size:275K  inchange semiconductor
 ipp60r125c6.pdf pdf_icon

IPP60R125C6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP60R125C6 IIPP60R125C6 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.125 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Provide all benefits of a fast switching super junction MOS while not sacrificing ease of us

 4.1. Size:571K  infineon
 ipp60r125cp.pdf pdf_icon

IPP60R125C6

IPP60R125CP C IMOSTM # A0 9 for industrial grade applications 688DG9>CC6CI; Halogen free mold compound PG TO220 7!"%

 4.2. Size:245K  inchange semiconductor
 ipp60r125cp.pdf pdf_icon

IPP60R125C6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP60R125CP IIPP60R125CP FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.125 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Ultra low gate charge High peak current capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPP50R380CE, IPP50R399CP, IPP50R520CP, IPP530N15N3G, IPP600N25N3G, IPP60R099C6, IPP60R099CP, IPP60R099CPA, STP75NF75, IPP60R125CP, IPP60R160C6, IPP60R165CP, IPP60R190C6, IPP60R190E6, IPP60R199CP, IPP60R250CP, IPP60R280C6