Справочник MOSFET. IPP60R600CP

 

IPP60R600CP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPP60R600CP
   Маркировка: 6R600P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IPP60R600CP

 

 

IPP60R600CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:549K  infineon
ipp60r600cp.pdf

IPP60R600CP
IPP60R600CP

IPP60R600CPCIMOSTM #:A0:9 for industrial grade applications 688DG9>CC6CI; Halogen free mold compoundPGTO220 :

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
ipp60r600cp.pdf

IPP60R600CP
IPP60R600CP

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP60R600CPIIPP60R600CPFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.6Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONUltra low gate chargeHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

 4.1. Size:1224K  infineon
ipd60r600c6 ipb60r600c6 ipp60r600c6 ipa60r600c6.pdf

IPP60R600CP
IPP60R600CP

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 600V600V CoolMOS C6 Power TransistorIPx60R600C6Data SheetRev. 2.5FinalPower Management & Multimarket600V CIMOS C6 Pwer Transistr IPD60R600C6, IPB60R600C6IPP60R600C6, IPA60R600C61 DescriptinCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs designed according to the super

 4.2. Size:1051K  infineon
ipp60r600c6.pdf

IPP60R600CP
IPP60R600CP

MOSFET+ =L9D - PA

 4.3. Size:244K  inchange semiconductor
ipp60r600c6.pdf

IPP60R600CP
IPP60R600CP

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP60R600C6IIPP60R600C6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.6Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONProvide all benefits of a fast switching super junction MOS while notsacrificing ease of use

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top