Справочник MOSFET. IPP65R280E6

 

IPP65R280E6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPP65R280E6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IPP65R280E6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP65R280E6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1885K  infineon
 ipp65r280e6.pdf pdf_icon

IPP65R280E6

MOSFET+

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
 ipp65r280e6.pdf pdf_icon

IPP65R280E6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP65R280E6IIPP65R280E6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.28Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONProvide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while notsacrificing ease of useABSOL

 5.1. Size:2104K  infineon
 ipp65r280c6.pdf pdf_icon

IPP65R280E6

MOSFET+

 5.2. Size:1337K  infineon
 ipa65r280c6 ipb65r280c6 ipi65r280c6 ipp65r280c6 ipw65r280c6.pdf pdf_icon

IPP65R280E6

MO Met l Oxi e emi n t iel e t n i t C lMO C665 C lMO C6 e n i t I x65 280C6D t eetRev. 2.1 in l e M n ement & M ltim ket , ==:$&)G '=D3?*?/

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPP60R520CP , IPP60R520E6 , IPP60R600C6 , IPP60R600CP , IPP60R600E6 , IPP60R750E6 , IPP60R950C6 , IPP65R280C6 , IRF1407 , IPP65R380C6 , IPP65R380E6 , IPP65R600C6 , IPP65R600E6 , IPP65R660CFD , IPP70N04S4-06 , IPP80CN10NG , IPP80N04S4-03 .

History: CS10N50FA9R | P2004EV | AOB2606L | IXFT50N85XHV | HM2302BWKR | MM137N04K | 2SK4075B

 

 
Back to Top

 


 
.