Справочник MOSFET. IPP65R280E6

 

IPP65R280E6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPP65R280E6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP65R280E6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1885K  infineon
ipp65r280e6.pdfpdf_icon

IPP65R280E6

MOSFET+

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
ipp65r280e6.pdfpdf_icon

IPP65R280E6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP65R280E6IIPP65R280E6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.28Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONProvide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while notsacrificing ease of useABSOL

 5.1. Size:2104K  infineon
ipp65r280c6.pdfpdf_icon

IPP65R280E6

MOSFET+

 5.2. Size:1337K  infineon
ipa65r280c6 ipb65r280c6 ipi65r280c6 ipp65r280c6 ipw65r280c6.pdfpdf_icon

IPP65R280E6

MO Met l Oxi e emi n t iel e t n i t C lMO C665 C lMO C6 e n i t I x65 280C6D t eetRev. 2.1 in l e M n ement & M ltim ket , ==:$&)G '=D3?*?/

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: WMK048NV6LG4 | 2SK2424 | 2SK4108 | CM20N50P | P0908ATF | JCS2N60MB | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.