IPP65R280E6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPP65R280E6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IPP65R280E6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP65R280E6 даташит

 ..1. Size:1885K  infineon
 ipp65r280e6.pdf pdf_icon

IPP65R280E6

MOSFET +

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
 ipp65r280e6.pdf pdf_icon

IPP65R280E6

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP65R280E6 IIPP65R280E6 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.28 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use ABSOL

 5.1. Size:2104K  infineon
 ipp65r280c6.pdf pdf_icon

IPP65R280E6

MOSFET +

 5.2. Size:1337K  infineon
 ipa65r280c6 ipb65r280c6 ipi65r280c6 ipp65r280c6 ipw65r280c6.pdf pdf_icon

IPP65R280E6

MO Met l Oxi e emi n t iel e t n i t C lMO C6 65 C lMO C6 e n i t I x65 280C6 D t eet Rev. 2.1 in l e M n ement & M ltim ket , == $&)G '=D3? *?/

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPP60R520CP, IPP60R520E6, IPP60R600C6, IPP60R600CP, IPP60R600E6, IPP60R750E6, IPP60R950C6, IPP65R280C6, IRFP450, IPP65R380C6, IPP65R380E6, IPP65R600C6, IPP65R600E6, IPP65R660CFD, IPP70N04S4-06, IPP80CN10NG, IPP80N04S4-03