Справочник MOSFET. BF1109

 

BF1109 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BF1109
   Маркировка: NFp
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 11 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2.2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm
   Тип корпуса: SOT143
 

 Аналог (замена) для BF1109

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BF1109 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  philips
bf1109 bf1109r bf1109wr 2.pdfpdf_icon

BF1109

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF1109; BF1109R; BF1109WRN-channel dual-gate MOS-FETsProduct specification 1997 Dec 08Supersedes data of 1997 Sep 03File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel dual-gate MOS-FETs BF1109; BF1109R; BF1109WRFEATURES PINNING Short channel transistor with highPIN DESCRIPTIONhandbook, 2 colu

 ..2. Size:347K  philips
bf1109 r wr.pdfpdf_icon

BF1109

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBF1109; BF1109R; BF1109WRN-channel dual-gate MOS-FETsProduct specification 1997 Dec 08Supersedes data of 1997 Sep 03NXP Semiconductors Product specificationBF1109; BF1109R;N-channel dual-gate MOS-FETsBF1109WRFEATURES PINNING Short channel transistor with high PIN DESCRIPTIONhandbook, 2 columns 43forward transfer admittance to

 9.1. Size:439K  philips
bf1100wr.pdfpdf_icon

BF1109

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBF1100WRDual-gate MOS-FETProduct specification 1995 Apr 25NXP Semiconductors Product specificationDual-gate MOS-FET BF1100WRFEATURES PINNING Specially designed for use at 9 to 12 V supply voltagePIN SYMBOL DESCRIPTION Short channel transistor with high forward transfer 1s, b sourceadmittance to input capacitance ratio2 d drain

 9.2. Size:351K  philips
bf1105 r wr.pdfpdf_icon

BF1109

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBF1105; BF1105R; BF1105WRN-channel dual-gate MOS-FETsProduct specification 1997 Dec 02Supersedes data of 1997 Dec 01NXP Semiconductors Product specificationBF1105; BF1105R;N-channel dual-gate MOS-FETsBF1105WRFEATURES PINNING Short channel transistor with high PIN DESCRIPTIONhandbook, 2 columns 43forward transfer admittance to

Другие MOSFET... BF1100WR , BF1101 , BF1101R , BF1101WR , BF1102 , BF1105 , BF1105R , BF1105WR , AON7408 , BF1109R , BF1109WR , BF245A , BF245B , BF245C , BF327 , BF350 , BF351 .

 

 
Back to Top

 


 
.