IPS040N03LG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPS040N03LG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для IPS040N03LG
IPS040N03LG Datasheet (PDF)
ipd040n03lg2 ipd040n03lg ips040n03lg.pdf

pe $ " $& " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesD Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- 4 m D n) m xQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BCD1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CQ ( 492??6= =@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @"- 4@>A=:2?DType #* ( & ! #*- (
ips040n03l.pdf

pe $ " $& " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesD R !3DE DH;E5:;@9 (* .! / 8AC .(+. 4m D n) m xR * BE;?;K76 E75:@A>A9J 8AC 5A@G7CE7CDD1)R , F3>;8;76 355AC6;@9 EA % 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@DR ) 5:3@@7> >A9;5 >7G7>R I57>>7@E 93E7 5:3C97 I BCA6F5E !* ( D n)R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n)R G3>3@5:7 C3E76R +4 8C77 B>3E;@9 - A#. 5A?B>;3@ER #3>A97@ 8C77 355A
ips040n03l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPS040N03LFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
ips042g.pdf

Data Sheet No.PD 60153-JIPS042GDUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCHFeatures Product Summary Over temperature shutdown Over current shutdownRds(on) 500m (max) Active clamp Low current & logic level input E.S.D protectionV clamp 50VIshutdown 2ADescriptionTon/Toff 1.5sThe IPS042G is a fully protected dual low side SMARTPOWER MOSFET that feature
Другие MOSFET... IPP80CN10NG , IPP80N04S4-03 , IPP90R1K0C3 , IPP90R1K2C3 , IPP90R340C3 , IPP90R500C3 , IPP90R800C3 , IPS031N03LG , CS150N03A8 , IPS050N03LG , IPS060N03LG , IPS075N03LG , IPS090N03LG , IPS105N03LG , IPS110N12N3G , IPS118N10NG , IPS12CN10LG .
History: TPU65R360M | LNH4N65 | HMS11N60F | FDZ7296 | ELM14408AA | S-LNA2306LT1G | IXTP4N95A
History: TPU65R360M | LNH4N65 | HMS11N60F | FDZ7296 | ELM14408AA | S-LNA2306LT1G | IXTP4N95A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200