IPS040N03LG. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPS040N03LG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для IPS040N03LG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPS040N03LG даташит
ipd040n03lg2 ipd040n03lg ips040n03lg.pdf
pe $ " $& " $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features D Q 2CD CG D49 ?8 ') - . 7@B -'*- 4 m D n) m x Q ) AD > J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC D 1) Q + E2= 7 65 244@B5 ?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA= 42D @?C Q ( 492??6= =@8 4 =6F6= Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n) Q /6BI =@G @? B6C CD2?46 D n) Q F2=2?496 B2D65 Q *3 7B66 A=2D ?8 , @"- 4@>A= 2?D Type #* ( & ! #*- (
ips040n03l.pdf
pe $ " $& " $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features D R !3DE DH;E5 ;@9 (* .! / 8AC .(+. 4 m D n) m x R * BE;?;K76 E75 @A>A9J 8AC 5A@G7CE7CD D 1) R , F3>;8;76 355AC6;@9 EA % 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@D R ) 5 3@@7> >A9;5 >7G7> R I57>>7@E 93E7 5 3C97 I BCA6F5E !* ( D n) R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n) R G3>3@5 7 C3E76 R +4 8C77 B>3E;@9 - A#. 5A?B>;3@E R #3>A97@ 8C77 355A
ips040n03l.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPS040N03L FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE
ips042g.pdf
Data Sheet No.PD 60153-J IPS042G DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH Features Product Summary Over temperature shutdown Over current shutdown Rds(on) 500m (max) Active clamp Low current & logic level input E.S.D protection V clamp 50V Ishutdown 2A Description Ton/Toff 1.5 s The IPS042G is a fully protected dual low side SMART POWER MOSFET that feature
Другие IGBT... IPP80CN10NG, IPP80N04S4-03, IPP90R1K0C3, IPP90R1K2C3, IPP90R340C3, IPP90R500C3, IPP90R800C3, IPS031N03LG, IRF520, IPS050N03LG, IPS060N03LG, IPS075N03LG, IPS090N03LG, IPS105N03LG, IPS110N12N3G, IPS118N10NG, IPS12CN10LG
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200




