Справочник MOSFET. IPS060N03LG

 

IPS060N03LG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPS060N03LG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для IPS060N03LG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPS060N03LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:523K  infineon
ipd060n03lg ipf060n03lg ips060n03lg ipu060n03lg.pdfpdf_icon

IPS060N03LG

Type IPD060N03L G IPF060N03L GIPS060N03L G IPU060N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 6mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very lo

 4.1. Size:1017K  infineon
ips060n03l.pdfpdf_icon

IPS060N03LG

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD S !4EF EI

 4.2. Size:634K  infineon
ipd060n03l ipf060n03l ips060n03l ipu060n03l.pdfpdf_icon

IPS060N03LG

Type IPD060N03L G IPF060N03L GIPS060N03L G IPU060N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 6mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low

 9.1. Size:420K  infineon
ipd06n03la ipf06n03la ips06n03la ipu06n03la.pdfpdf_icon

IPS060N03LG

IPD06N03LA IPF06N03LAIPS06N03LA IPU06N03LAOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 25 VDS Ideal for high-frequency dc/dc convertersR (SMD version) 5.7mDS(on),max Qualified according to JEDEC1) for target applicationI 50 AD N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance 175 C

Другие MOSFET... IPP90R1K0C3 , IPP90R1K2C3 , IPP90R340C3 , IPP90R500C3 , IPP90R800C3 , IPS031N03LG , IPS040N03LG , IPS050N03LG , IRF2807 , IPS075N03LG , IPS090N03LG , IPS105N03LG , IPS110N12N3G , IPS118N10NG , IPS12CN10LG , IPS135N03LG , IPS50R520CP .

History: SWN4N65DA | CTD06N017 | CS9N80P | HM18N40F | JCS13AN50SC | TPCA8009-H

 

 
Back to Top

 


 
.