Справочник MOSFET. IPS110N12N3G

 

IPS110N12N3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPS110N12N3G
   Маркировка: 110N12N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 49 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 408 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для IPS110N12N3G

 

 

IPS110N12N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:587K  infineon
 ipds110n12n3g ips110n12n3g ips110n12n3 ipd110n12n3.pdf

IPS110N12N3G IPS110N12N3G

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOS Power-Transistor, 120VOptiMOS 3 Power-TransistorIPD_S110N12N3 GData SheetRev. 2.4FinalIndustrial & MultimarketIPD110N12N3 G IPS110N12N3 GOptiMOSTM3Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 120 V N-channel, normal levelRDS(on),max11m Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)

 3.1. Size:261K  inchange semiconductor
 ips110n12n3.pdf

IPS110N12N3G IPS110N12N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPS110N12N3FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 9.1. Size:570K  infineon
 ips118n10n.pdf

IPS110N12N3G IPS110N12N3G

$& " " $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 100 VDSR ( 492??6= ?@C>2= =6G6= 11.8 m DS(on) maxR I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E !) ' DS(on) 75 ADR /6CJ =@H @? C6D:DE2?46 DS(on)R U @A6C2E:?8 E6>A6C2EFC6R *3 7C66 =625 A=2E:?8 , @#- 4@>A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ % 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?R $562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?49C@?@FD C64E:7:4

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top