IPU135N08N3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPU135N08N3G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 353 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для IPU135N08N3G
IPU135N08N3G Datasheet (PDF)
ipu135n08n31.pdf

$( " " (TM) $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesD R #562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?4 C64 1 m D n) m xR ( AE:>:K65 E649?@=@8J 7@C 4@?G6CE6CDDR I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ( & D n)R ' 492??6= ?@C>2= =6G6=R 2G2=2?496 E6DE65R )3 7C66 A=2E:?8 + @", 4@>A=:2?E1)R * F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?DType #). ' ' !Package G O 1
ipd135n03l ipf135n03l ips135n03l ipu135n03l.pdf

Type IPD135N03L G IPF135N03L GIPS135N03L G IPU135N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 13.5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 30 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very
ipd135n03lg ipf135n03lg ips135n03lg ipu135n03lg.pdf

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD S !4EF EI
ipu135n03l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPU135N03LFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
Другие MOSFET... IPS50R520CP , IPU039N03LG , IPU050N03LG , IPU060N03LG , IPU075N03LG , IPU090N03LG , IPU103N08N3G , IPU135N03LG , 8N60 , IPW50R140CP , IPW50R199CP , IPW50R250CP , IPW50R299CP , IPW50R350CP , IPW50R399CP , IPW60R041C6 , IPW60R045CP .
History: CEDM8001 | FDD9411F085 | HM24N50A | HFP8N70U | 2N60L-TN3-R | AP3NR68CDT | DHBSJ5N65
History: CEDM8001 | FDD9411F085 | HM24N50A | HFP8N70U | 2N60L-TN3-R | AP3NR68CDT | DHBSJ5N65



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet