IPW60R075CP - аналоги и даташиты транзистора

 

IPW60R075CP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPW60R075CP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IPW60R075CP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPW60R075CP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:533K  infineon
 ipw60r075cp rev23.pdf pdf_icon

IPW60R075CP

IPW60R075CPCIMOS&! #:A0INV . J6A>;>:9 688DG9>CC6CIPGTO247 V 2 AIG6 ADL

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
 ipw60r075cp.pdf pdf_icon

IPW60R075CP

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPW60R075CPIIPW60R075CPFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)75mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Sou

 0.1. Size:378K  infineon
 ipw60r075cpa.pdf pdf_icon

IPW60R075CP

IPW60R075CPACoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryV 600 VDSR 0.075DS(on),maxQ 87 nCg,typFeatures Lowest figure-of-merit RON x Qg Ultra low gate charge Extreme dv/dt ratedPG-TO247-3 High peak current capability Automotive AEC Q101 qualified Green package (RoHS compliant)CoolMOS CPA is specially designed for: DC/DC converters for Aut

 6.1. Size:1855K  infineon
 ipw60r070p6.pdf pdf_icon

IPW60R075CP

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS P6600V CoolMOS P6 Power TransistorIPW60R070P6Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS P6 Power TransistorIPW60R070P6TO-2471 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpion

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPW50R250CP , IPW50R299CP , IPW50R350CP , IPW50R399CP , IPW60R041C6 , IPW60R045CP , IPW60R045CPA , IPW60R070C6 , BS170 , IPW60R075CPA , IPW60R099C6 , IPW60R099CP , IPW60R099CPA , IPW60R125C6 , IPW60R125CP , IPW60R160C6 , IPW60R165CP .

 

 
Back to Top

 


 
.