IPW60R160C6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPW60R160C6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IPW60R160C6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPW60R160C6 даташит

 ..1. Size:1019K  infineon
 ipa60r160c6 ipb60r160c6 ipp60r160c6 ipw60r160c6.pdf pdf_icon

IPW60R160C6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 600V 600V CoolMOS C6 Power Transistor IPx60R160C6 Data Sheet Rev. 2.3 Final Power Management & Multimarket 600V CoolMOS C6 Power Transistor IPA60R160C6, IPB60R160C6 IPP60R160C6 IPW60R160C6 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunct

 ..2. Size:1965K  infineon
 ipw60r160c6.pdf pdf_icon

IPW60R160C6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C6 600V CoolMOS C6 Power Transistor IPx60R160C6 Data Sheet Rev. 2.1, 2010-02-09 Final Industrial & Multimarket 600V CoolMOS C6 Power Transistor IPA60R160C6, IPB60R160C6 IPP60R160C6 IPW60R160C6 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superj

 ..3. Size:242K  inchange semiconductor
 ipw60r160c6.pdf pdf_icon

IPW60R160C6

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPW60R160C6 IIPW60R160C6 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 160m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Fast switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-So

 5.1. Size:2645K  infineon
 ipw60r160p6 ipb60r160p6 ipp60r160p6 ipa60r160p6.pdf pdf_icon

IPW60R160C6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS P6 600V CoolMOS P6 Power Transistor IPx60R160P6 Data Sheet Rev. 2.2 Final Power Management & Multimarket 600V CoolMOS P6 Power Transistor IPW60R160P6, IPB60R160P6, IPP60R160P6, IPA60R160P6 TO-247 D PAK TO-220 1 Description tab tab CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPW60R070C6, IPW60R075CP, IPW60R075CPA, IPW60R099C6, IPW60R099CP, IPW60R099CPA, IPW60R125C6, IPW60R125CP, IRF540, IPW60R165CP, IPW60R190C6, IPW60R190E6, IPW60R199CP, IPW60R250CP, IPW60R280C6, IPW60R280E6, IPW60R299CP