IPW60R165CP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IPW60R165CP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IPW60R165CP
IPW60R165CP Datasheet (PDF)
ipw60r165cp.pdf

IPW60R165CPCIMOS #:A0:9 688DG9>CC6CIPGTO247 ::7!"% # 4= =;0.4,77C /0=4290/ 1:I8=>C
ipw60r165cp.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPW60R165CPIIPW60R165CPFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)165mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta
ipa60r160c6 ipb60r160c6 ipp60r160c6 ipw60r160c6.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 600V600V CoolMOS C6 Power TransistorIPx60R160C6Data SheetRev. 2.3FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS C6 Power Transistor IPA60R160C6, IPB60R160C6IPP60R160C6 IPW60R160C61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunct
ipw60r160p6 ipb60r160p6 ipp60r160p6 ipa60r160p6.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS P6600V CoolMOS P6 Power TransistorIPx60R160P6Data SheetRev. 2.2FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS P6 Power TransistorIPW60R160P6, IPB60R160P6, IPP60R160P6,IPA60R160P6TO-247 DPAK TO-2201 DescriptiontabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs,
Другие MOSFET... IPW60R075CP , IPW60R075CPA , IPW60R099C6 , IPW60R099CP , IPW60R099CPA , IPW60R125C6 , IPW60R125CP , IPW60R160C6 , 50N06 , IPW60R190C6 , IPW60R190E6 , IPW60R199CP , IPW60R250CP , IPW60R280C6 , IPW60R280E6 , IPW60R299CP , IPW65R070C6 .
History: AONS66607 | IXFL30N120P | LSB65R041GT | NP80N03CDE | UTM2054L-AB3-R
History: AONS66607 | IXFL30N120P | LSB65R041GT | NP80N03CDE | UTM2054L-AB3-R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet