IPW60R190E6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPW60R190E6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO247
IPW60R190E6 Datasheet (PDF)
ipw60r190e6 ipp60r190e6 ipa60r190e6.pdf

C lMO e n i t I 1 I 1 I 1 O 47 O O 1 Descriptint bC lMO i e l ti n te n l i lt e p eMO e i ne in t t e pej n ti n ) pin iple n pi neee b In ine n e n l ie C lMO eie mbine t eexpeien e t e le in MO pplie it i l inn ti n e e ltin e i e p i e ll bene it t it in MO ile n t i i in e e e xtemel l it in n n ti nl e m ke it in
ipw60r190e6.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS E6600V CoolMOS E6 Power TransistorIPx60R190E6Data SheetRev. 2.0, 2010-05-03FinalIndustrial & Multimarket600V CoolMOS E6 Power Transistor IPP60R190E6, IPA60R190E6IPW60R190E61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ)
ipw60r190e6.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPW60R190E6IIPW60R190E6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)190mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-So
ipw60r190c6.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6600V CoolMOS C6 Power TransistorIPx60R190C6Data SheetRev. 2.1, 2010-02-09FinalIndustrial & Multimarket600V CoolMOS C6 Power Transistor IPA60R190C6, IPB60R190C6IPI60R190C6, IPP60R190C6IPW60R190C61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according
Другие MOSFET... IPW60R099C6 , IPW60R099CP , IPW60R099CPA , IPW60R125C6 , IPW60R125CP , IPW60R160C6 , IPW60R165CP , IPW60R190C6 , IRFZ44 , IPW60R199CP , IPW60R250CP , IPW60R280C6 , IPW60R280E6 , IPW60R299CP , IPW65R070C6 , IPW65R080CFD , IPW65R280C6 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet