IPW60R280E6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IPW60R280E6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для IPW60R280E6
IPW60R280E6 Datasheet (PDF)
ipp60r280e6 ipa60r280e6 ipw60r280e6.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS E6 600V600V CoolMOS E6 Power TransistorIPx60R280E6Data SheetRev. 2.3FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS E6 Power Transistor IPP60R280E6, IPA60R280E6IPW60R280E61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) pri
ipw60r280e6 2.0.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS E6600V CoolMOS E6 Power TransistorIPx60R280E6Data SheetRev. 2.0, 2010-04-09FinalIndustrial & Multimarket600V CoolMOS E6 Power Transistor IPP60R280E6, IPA60R280E6IPW60R280E61 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ)
ipw60r280e6.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPW60R280E6IIPW60R280E6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.28Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONProvide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while notsacrificing ease of useABSOL
ipa60r280p6 ipp60r280p6 ipw60r280p6.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS P6600V CoolMOS P6 Power TransistorIPx60R280P6Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket600V CoolMOS P6 Power TransistorIPW60R280P6, IPP60R280P6, IPA60R280P6TO-247 TO-220 TO-220 FP1 DescriptiontabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed accordi
Другие MOSFET... IPW60R125CP , IPW60R160C6 , IPW60R165CP , IPW60R190C6 , IPW60R190E6 , IPW60R199CP , IPW60R250CP , IPW60R280C6 , IRF640N , IPW60R299CP , IPW65R070C6 , IPW65R080CFD , IPW65R280C6 , IPW65R280E6 , IPW65R660CFD , IPW90R120C3 , IPW90R1K0C3 .
History: 2SK1102-01MR | AO3413 | LSC65R650HT
History: 2SK1102-01MR | AO3413 | LSC65R650HT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383