SPA02N80C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPA02N80C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm

Тип корпуса: TO220FP

Аналог (замена) для SPA02N80C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPA02N80C3 даташит

 ..1. Size:437K  infineon
 spa02n80c3.pdf pdf_icon

SPA02N80C3

SPA02N80C3 CoolMOSTM Power Transistor Product Summary Features V 800 V DS New revolutionary high voltage technology R @ Tj = 25 C 2.7 DS(on)max Extreme dv/dt rated Q 12 nC g,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Ultra low gate charge Ultra low effective capaci

 ..2. Size:249K  inchange semiconductor
 spa02n80c3.pdf pdf_icon

SPA02N80C3

Isc N-Channel MOSFET Transistor SPA02N80C3 FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-S

Другие IGBT... IPW65R280E6, IPW65R660CFD, IPW90R120C3, IPW90R1K0C3, IPW90R1K2C3, IPW90R340C3, IPW90R500C3, IPW90R800C3, IRFP250N, SPA03N60C3, SPA04N50C3, SPA04N60C3, SPA04N80C3, SPA06N60C3, SPA06N80C3, SPA07N60C3, SPA07N60CFD