Справочник MOSFET. SPA02N80C3

 

SPA02N80C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPA02N80C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
 

 Аналог (замена) для SPA02N80C3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPA02N80C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  infineon
 spa02n80c3.pdf pdf_icon

SPA02N80C3

SPA02N80C3CoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV 800 VDS New revolutionary high voltage technologyR @ Tj = 25C 2.7DS(on)max Extreme dv/dt ratedQ 12 nCg,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Ultra low gate charge Ultra low effective capaci

 ..2. Size:249K  inchange semiconductor
 spa02n80c3.pdf pdf_icon

SPA02N80C3

Isc N-Channel MOSFET Transistor SPA02N80C3FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-S

Другие MOSFET... IPW65R280E6 , IPW65R660CFD , IPW90R120C3 , IPW90R1K0C3 , IPW90R1K2C3 , IPW90R340C3 , IPW90R500C3 , IPW90R800C3 , AON7408 , SPA03N60C3 , SPA04N50C3 , SPA04N60C3 , SPA04N80C3 , SPA06N60C3 , SPA06N80C3 , SPA07N60C3 , SPA07N60CFD .

History: PH6030L | IPB80N04S4-04 | 30N20 | EV3404 | STP10NM60ND | SM4025PSU | AP2328GN

 

 
Back to Top

 


 
.