SPA04N50C3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SPA04N50C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
Тип корпуса: TO220FP
Аналог (замена) для SPA04N50C3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SPA04N50C3 даташит
spa04n50c3 spb04n50c3 spp04n50c3.pdf
SPP04N50C3, SPB04N50C3 Final data SPA04N50C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 560 V Feature RDS(on) 0.95 New revolutionary high voltage technology ID 4.5 A Ultra low gate charge P-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated 3 Ultra low effective capacitances 2 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance
spp04n60c3 spb04n60c3 spa04n60c3.pdf
SPP04N60C3, SPB04N60C3 Final data SPA04N60C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.95 New revolutionary high voltage technology ID 4.5 A Ultra low gate charge P-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated 3 High peak current capability 2 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance P-TO
spa04n80c3.pdf
SPA04N80C3 CoolMOSTM Power Transistor Product Summary Features V 800 V DS New revolutionary high voltage technology R @ Tj = 25 C 1.3 DS(on)max Extreme dv/dt rated Q 23 nC g,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Ultra low gate charge Ultra low effective capaci
Другие IGBT... IPW90R120C3, IPW90R1K0C3, IPW90R1K2C3, IPW90R340C3, IPW90R500C3, IPW90R800C3, SPA02N80C3, SPA03N60C3, IRF9540, SPA04N60C3, SPA04N80C3, SPA06N60C3, SPA06N80C3, SPA07N60C3, SPA07N60CFD, SPA07N65C3, SPA08N50C3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT | AP3N5R0MT | AP2P053Y | AP12A390YT
Popular searches
ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226




