SPA11N60C3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SPA11N60C3
Маркировка: 11N60C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
trⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: TO220FP
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SPA11N60C3 Datasheet (PDF)
spp11n60c3 spi11n60c3 spa11n60c3 spa11n60c3e8185.pdf

SPP11N60C3SPI11N60C3, SPA11N60C3, SPA11N60C3 E8185Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technologyID 11 A Ultra low gate chargePG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated3 High peak current capability21P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-2
spp11n60c3 spi11n60c3 spa11n60c3 e8185 rev.3.2.pdf

SPP11N60C3SPI11N60C3, SPA11N60C3, SPA11N60C3 E8185Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technologyID 11 A Ultra low gate chargePG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated3 High peak current capability21P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-2
spa11n60c3.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor SPA11N60C3FEATURESNew revolutionary high voltage technologyUltra low gate chargeHigh peak current capabilityImproved transconductance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
spa11n60c3e8185.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor SPA11N60C3E8185SPA11N60C3E8185FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.38Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONUltra low gate chargeHigh peak current capabilityImproved transconductanceA
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SPC4567 | HFP10N65S | NCEP15T14LL | SPB07N60C2 | NCEP40T17AT
History: SPC4567 | HFP10N65S | NCEP15T14LL | SPB07N60C2 | NCEP40T17AT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123