SPA11N60C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPA11N60C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO220FP

Аналог (замена) для SPA11N60C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPA11N60C3 даташит

 ..1. Size:678K  infineon
 spp11n60c3 spi11n60c3 spa11n60c3 spa11n60c3e8185.pdf pdf_icon

SPA11N60C3

SPP11N60C3 SPI11N60C3, SPA11N60C3, SPA11N60C3 E8185 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technology ID 11 A Ultra low gate charge PG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated 3 High peak current capability 2 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-2

 ..2. Size:654K  infineon
 spp11n60c3 spi11n60c3 spa11n60c3 e8185 rev.3.2.pdf pdf_icon

SPA11N60C3

SPP11N60C3 SPI11N60C3, SPA11N60C3, SPA11N60C3 E8185 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.38 New revolutionary high voltage technology ID 11 A Ultra low gate charge PG-TO220FP PG-TO262 PG-TO220 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated 3 High peak current capability 2 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance PG-TO-2

 ..3. Size:201K  inchange semiconductor
 spa11n60c3.pdf pdf_icon

SPA11N60C3

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor SPA11N60C3 FEATURES New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge High peak current capability Improved transconductance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 0.1. Size:246K  inchange semiconductor
 spa11n60c3e8185.pdf pdf_icon

SPA11N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPA11N60C3E8185 SPA11N60C3E8185 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.38 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Ultra low gate charge High peak current capability Improved transconductance A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPA04N80C3, SPA06N60C3, SPA06N80C3, SPA07N60C3, SPA07N60CFD, SPA07N65C3, SPA08N50C3, SPA08N80C3, IRFP260, SPA11N60CFD, SPA11N65C3, SPA11N80C3, SPA12N50C3, SPA15N60C3, SPA15N60CFD, SPA15N65C3, SPA16N50C3